氮化硅陶瓷基板强度高、耐磨损、耐高温、绝缘，热膨胀系数低等优点，因此被应用到很多高强度产品领域，包括汽车逆变器、减振器、航天航空、汽车发动机、机械医疗设备，工业窑炉和智能电子设备等领域有着广泛的用途。那么实现更好的电气性能，通常会在氮化硅陶瓷基板表面做金属化，以实现陶瓷与金属的有效结合，实现更好的电气性能。那么氮化硅陶瓷基板金属化的方法是什么，采用什么金属化工艺呢。

由于氮化硅（Si3N4）陶瓷无法像氮化铝陶瓷一样能够直接在陶瓷表面形成一层氧化层，因此氮化硅陶瓷基板需要采用AMB活性钎焊技术进行金属化，以实现陶瓷与氮化硅陶瓷的有效结合。

氮化硅陶瓷基板AMB金属化

Si3N4陶瓷一般的通过活性金属钎焊（AMB）的方式将Si3N4陶瓷和铜进行连接的。与AlN一样，Si3N4也是一种氮化物，可以和一些活性金属（Ti、Cr、V）发生化学反应，在界面层生成连续的氮化物，从而实现Si3N4陶瓷和金属钎料之间的连接。最常用的金属钎料是Ag-Cu-Ti体系，但这些钎料的液相线低于K，钎料的抗氧化性能很差，钎焊连接后的使用温度不宜高于K。对于更高温度的使用环境，就需要开发新的金属钎料。此方法可以实现Si3N4陶瓷的表面金属化，但该方法工艺复杂，生产成本很高，在技术操作过程中需要技术成熟把控。AMB覆铜工艺中，活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素，会影响氮化硅陶瓷基板的可靠性。

氮化硅陶瓷基板AMB金属化的作用

实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合，以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点。经测试氮化硅陶瓷基板热循环次数可达次以上，铜层结合力在28N/mm以上。氮化陶瓷基板覆铜板具备更好的金属结合力和热循环性能，使用寿命更长。