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近年来，随着芯片制程迭代越来越快，对集成度的要求越来越高，功能性器件的特征尺寸不断减小。现有硅基半导体技术逐步进入了“后摩尔时代”，半导体产业协会发布的国际半导体技术路线图表明：在经历了50多年器件微型化道路的技术研发之后，晶体管的尺寸可能将在5年以后停止缩减。与此同时，由于功能性器件特征尺寸不断减小，器件中出现的尺寸效应、量子效应、短沟道效应以及热效应等会导致器件性能下降甚至失效。因此，鉴于基于传统半导体材料的硅基功能性器件已达到极限，如何研制高集成度、高性能的功能器件成为未来发展的重要方向。二维半导体电子器件，凭借原子级的沟道厚度，高效的静电栅控，有效抑止的短沟道效应，优异的器件集成度，以及极低的静态功耗，受到了工业界与学术界的广泛

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